机译:N
机译:圆柱形空心阴极放电(HCED)中N2和N2 +分子的某些头带的特定激发
机译:Ar-N2微波放电余辉中N和O原子,N2(A)和N2(X,v> 13)亚稳分子和N2 +离子密度的测定
机译:非对称表面模式介电势垒放电的振动温度和N2(C3)和N2 +(B2)的相对浓度
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:He +和H2 +离子辐照6H-SiC的表面形貌研究
机译:N2-H2放电中阴极表面N2 +和H2 +流入量的精确计算